半导体与靶材制造

●溅射靶材品质升级超高纯度钛粉制备的靶材，可将薄膜杂质浓度控制在**ppb级**，确保晶圆渡层均匀性(不均匀度≤3%)，提升5nm以下制程芯片的良品率。

●低氧与超细协同效应
氧含量≤900ppm避免镀膜氧化缺陷，3-5pm粒径实现靶材密度299.5%理论值，减少溅射过程中的颗粒飞溅，延长靶材使用寿命30%以上。

●客户价值
降低半导体企业靶材更换频率与品圆返工成本，助力客户满足SEMI国际半导体材料标准。